特許
J-GLOBAL ID：200903050242170833

窒化物系半導体発光素子

発明者：
杉浦 理砂

杉浦 理砂 について

, 
石川 正行

石川 正行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234881
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074621
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電流低減とクラックの抑制とを同時に達成することができ、トータルの素子特性向上をはかる。【解決手段】 InGaN系半導体からなるMQW活性層16を活性層16よりもバンドギャップの大きい一対のGaN光閉じ込め層15,17で挟み、その外側を光閉じ込め層15,17よりもバンドギャップの大きいAlGaNからなるp型及びn型の一対のクラッド層14,18で挟んだ分離閉じ込めヘテロ構造を有し、かつその外側にp型及びn型のGaNコンタクト層13,19を有する窒化物系半導体レーザであって、一対の光閉じ込め層15,17のうち、n側の光閉じ込め層15をGaNコンタクト層13,19よりも屈折率の大きいInGaNで形成し、光閉じ込め効果の増大と共に、活性層16におけるクラックの発生を防止する。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の窒化物系半導体層を積層してなり、活性層を一対の光閉じ込め層で挟み、その外側をp型及びn型の一対のクラッド層で挟んだ分離閉じ込めヘテロ構造を有し、かつその外側にp型及びn型のコンタクト層を有する窒化物系半導体発光素子であって、前記一対の光閉じ込め層のうち、p側の光閉じ込め層の屈折率は前記コンタクト層のそれと同じ又はそれよりも大きく、n側の光閉じ込め層の屈折率はp側の光閉じ込め層のそれよりも大きいことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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