特許

J-GLOBAL ID：200903065451103636

プラズマ処理装置

発明者： 荒井 雅嗣 ,  有働 竜二郎 ,  田村 直行 ,  角谷 ▲匡▼規 ,  吉開 元彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038915
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243371
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理中の半導体ウエハの温度分布を明確な状態で積極的に制御できるようにしたウエハ処理装置を提供すること。【解決手段】 電極ブロック1の中に内周と外周で独立した冷媒流通用のスリット11、12を設けると共に、これらの間にスリット13を形成させ、内周と外周の間での熱伝導が抑制されるようにしたもの。スリット13により電極ブロック1内での温度の均一化が抑制されるので、電極ブロック1面内を任意の独立した温度にすることができ、温度分布パターンの積極的且つ明確な制御が得られる。

請求項（抜粋）：

電極ブロックの温度を制御し、半導体ウエハの温度を制御する方式の保持ステージを備えたプラズマ処理装置において、前記電極ブロックに、内側と外側で独立した温度制御手段を設けると共に、これら温度制御手段の間に熱伝達抑制用のスリットが設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/458 ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 101 G

Fターム (25件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004CA04 ,  5F004CA09 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA18 ,  5F031HA37 ,  5F031HA40 ,  5F031JA46 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-001039   出願人：株式会社日立製作所
• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-073430   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体処理システム内の温度を制御する装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-379494   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド