Eビーム放射を使用した、改良されたトランジスタゲート

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-576026
公開番号（公開出願番号）：特表2004-533110
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

70mm未満のゲート幅を有するトランジスタ(22、32)を形成する方法を提供する。この方法は、フォトレジスト層上のゲートパターン(26、36)をEビーム照射(12)をする処理と、フォトレジスト層上のゲートパターン(26、36)をトリミング(14)する処理と、フォトレジスト層上のゲートパターンをフォトレジスト層の下に配置されたポリシリコン層(40)までエッチングする処理と、を含む。ゲートパターンは、電子ビームによるEビーム照射を受ける。

請求項（抜粋）：

集積回路を形成する方法であって、フォトレジスト層上にトランジスタのゲートパターン(26,36)を作るステップを含み、このステップは、前記トランジスタのゲートパターン(26,36)を、電子ビームで硬化させるステップと、前記硬化させたトランジスタのゲートパターン(26,36)をトリミングするステップと、前記トリミングしたトランジスタ・ゲートパターンを、前記フォトレジスト層の下に配置された層(40,42)に転写するステップとを有し、前記トランジスタゲートは、幅と長さを有しており、前記硬化させるステップによって、前記トランジスタゲートの前記長さ方向に沿った前記幅の変化が少なくなる、方法。

IPC (6件)：

H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/30 570 , H01L21/28 E , H01L21/302 105A , H01L29/58 G , H01L29/78 301G

Fターム (40件)：

4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104CC05 , 4M104DD43 , 4M104DD62 , 4M104DD65 , 4M104DD71 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA22 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB15 , 5F004DB26 , 5F004EB02 , 5F004FA04 , 5F046AA20 , 5F046LA18 , 5F140AA39 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CE11 , 5F140CE13 , 5F140CE14

引用特許：

審査官引用 (13件)

パターン形成方法及び該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-176598 出願人：ソニー株式会社
特開平2-303022
特開平4-127518

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引用文献：

審査官引用 (1件)

FABRICATION OF 0.06μm POLY-Si GATE USING DUV LITHOGRAPHY WITH A DESIGNED SixOyNz FILM AS AN ARC AND

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