特許
J-GLOBAL ID：200903073611476275

窒化物半導体素子

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について

, 
中村 修二

中村 修二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-097134
公開番号（公開出願番号）：特開平11-298090
出願日： 1998年04月09日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：
【要約】【目的】 主としてレーザ素子の出力の向上と、発振閾値を低下させて素子の長寿命化を実現する。【構成】 n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされているか、あるいは、前記多重量子井戸構造は、p側の窒化物半導体に接近した側が障壁層で終わっており、少なくとも最後の井戸層がアンドープで、最後の障壁層にn型不純物がドープされている。
請求項（抜粋）：
n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に、Inを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層と組成の異なる窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有し、前記活性層の井戸層はアンドープであり、前記障壁層にn型不純物がドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 31/10 A
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 窒化ガリウム系半導体光発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213412   出願人：株式会社東芝
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243681   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開昭62-051282
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