半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑中芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345002
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179453
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】低誘電率膜を層間絶縁膜として用い、シングルダマシン法により形成した、信頼性の高い多層配線を有する半導体装置を提供する。【解決手段】本半導体装置に設けた配線構造30は、下層埋め込み配線3A、層間絶縁膜積層構造32、接続孔プラグ34、配線間絶縁膜積層構造36と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線18A、及びSiC膜20(酸化防止層)を有する。層間絶縁膜積層構造は、SiC膜4、SiOC膜5、及びSiO2 膜6を有する。SiC膜はCuの酸化防止層及び接続孔開口時のエッチング阻止膜として、SiO2 膜はSiOC膜の保護膜として機能する。接続孔プラグは、Ta膜9(バリアメタル)、Cu膜10、及びCu膜10上の膜厚約30nmのTaN膜21を有する。配線間絶縁膜積層構造は、PAE膜22及びPAE膜の保護層として機能するSiO2 膜13を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上の下地絶縁膜に形成された下層埋め込み配線と、下層埋め込み配線上の第1の層間絶縁膜を貫通して下層埋め込み配線に接続する導体プラグと、導体プラグ上の第2の層間絶縁膜に形成され、導体プラグを介して下層埋め込み配線に接続する上層埋め込み配線を有する半導体装置において、バリアメタル膜が導体プラグの上層に設けられ、第1の層間絶縁膜に対してエッチング選択比の大きな有機膜が、第2の層間絶縁膜の下層として設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/768 , H01L21/304 , H01L21/3205

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L21/304 622X , H01L21/88 R , H01L21/90 S

Fターム (59件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX09 , 5F033XX14 , 5F033XX15 , 5F033XX20 , 5F033XX21 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (6件)

配線構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-190674 出願人：富士通株式会社
半導体装置用のカプセル化金属構造および同構造を含むMIMキャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-127214 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-204823 出願人：株式会社日立製作所

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