特許

J-GLOBAL ID：200903013644276970

半導体装置とその製造方法

発明者： 鬼頭 英至 ,  長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107505
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305193
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 シリコン酸化膜と有機絶縁膜が積層される絶縁膜構造を有する半導体装置における絶縁膜や、金属配線に特性劣化、剥離が生じるなどの問題の解決を図る。【解決手段】 シリコン酸化膜より成る第1の絶縁膜1と、有機系絶縁膜よりなる第2の絶縁膜2とが積層される絶縁層を有する半導体装置であって、そのシリコン酸化膜が、このシリコン酸化膜と有機系絶縁膜との積層構造と、シリコン酸化膜の単層構造とのそれぞれに関する質量18を基準とする昇温脱離質量分析測定のイオン電流測定による脱ガススペクトルの面積積分SI およびSIIの比SI/SIIが、1以上1.5以下を示す特性を有する吸湿抑制がなされたシリコン酸化膜構成とする。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜より成る第1の絶縁膜と、有機系絶縁膜よりなる第2の絶縁膜との積層部を少なくとも有する絶縁層が形成された半導体装置であって、上記シリコン酸化膜が、上記シリコン酸化膜と上記有機系絶縁膜との積層構造と、上記シリコン酸化膜の単層構造とのそれぞれに関する質量18を基準とする昇温脱離質量分析測定のイオン電流測定による脱ガススペクトルの0°〜450°Cでの面積積分比各面積積分SI およびSIIの比SI /SIIが、1以上1.5以下を示す特性を有する吸湿抑制がなされたシリコン酸化膜構成を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  C23C 16/42

FI (6件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P

Fターム (56件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP22 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F058BA07 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084371   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-097766   出願人：ソニー株式会社
• 電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-018955   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-145538   出願人：ソニー株式会社