特許
J-GLOBAL ID：200903065518566318

ITO膜及びその成膜方法

発明者：
筑後 了治

筑後 了治 について

, 
酒見 俊之

酒見 俊之 について


出願人/特許権者：
住友重機械工業株式会社

住友重機械工業株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-230457
公開番号（公開出願番号）：特開2002-047559
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 研磨のような新たな製造工程を経ること無く表面粗さ(Ra)が1nm以下であるITO膜を提供すること。【解決手段】 プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ハースの近傍に該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化させ、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容されたITO膜成膜用の蒸発材料に導いて基板上にITO膜を成膜するイオンプレーティング法により製造され、比抵抗4μΩm以下、平均表面粗さ(Ra)1nm以下であることを特徴とするITO膜。
請求項（抜粋）：
プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ハースの近傍に該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化させ、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容されたITO膜成膜用の蒸発材料に導いて基板上にITO膜を成膜するイオンプレーティング法により成膜され、比抵抗4μΩm以下、平均表面粗さ(Ra)1nm以下であることを特徴とするITO膜。
IPC (4件)：
C23C 14/08 ,  H01B 13/00 503 ,  H05H 1/24 ,  H01B 5/14
FI (4件)：
C23C 14/08 D ,  H01B 13/00 503 B ,  H05H 1/24 ,  H01B 5/14 A
Fターム (16件)：
4K029BA45 ,  4K029BA46 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DD05 ,  4K029GA01 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BC03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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