特許

J-GLOBAL ID：200903065576616767

軟磁性膜の製造方法

発明者： 山西 斉 ,  青倉 勇 ,  村岡 俊作 ,  関 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012366
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 各種磁気ヘッドに要求される所望の磁気異方性を有する高透磁率ならびに高飽和磁束密度を示す軟磁性膜を量産性よく製造する方法を提供する。【解決手段】 Feを主成分とし、N(窒素)を5〜20原子%含むとともにM(ただし、Mは、Ta、Zr、Hf、Nb、Tiの少なくとも1種の元素)を5〜15原子%含む組成を有する軟磁性膜の製造方法において、外周面上に基板8を設置するとともに、中心軸14を中心に回転し、更には真空チャンバー2との間に絶縁材13を介して設置された円筒形の基板ホルダー9と、該基板ホルダーの基板設置面に対向した位置に、スパッタリングターゲット3を設置したスパッタリング電極4を少なくとも1個有し、かつスパッタリング用ガスの導入系11、18を少なくとも2系統有する基板ホルダー回転型反応性バイアススパッタリング装置を用い、スパッタリング条件を制御することで、所望の磁気異方性を有する高透磁率ならびに高飽和磁束密度を示す軟磁性膜を量産性よく製造する。

請求項（抜粋）：

Feを主成分とし、N(窒素)を5〜20原子%含むとともにM(ただし、Mは、Ta、Zr、Hf、Nb、Tiの少なくとも1種の元素)を5〜15原子%含む組成を有する軟磁性膜の製造方法において、外周面上に基板を設置するとともに、中心軸を中心に回転し、更には真空チャンバーとの間に絶縁材を介して配設された円筒形の基板ホルダーと、該基板ホルダーの基板設置面に対向した位置に、スパッタリングターゲットを設置したスパッタリング電極を少なくとも1個有し、かつスパッタリング用ガスの導入系を少なくとも2系統有する基板ホルダー回転型反応性バイアススパッタリング装置を用い、ガス雰囲気中の窒素ガス流量比(N2ガス流量/Arガス流量)を4〜8%としてスパッタリングを行うことを特徴とする軟磁性膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01F 41/18 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/31

FI (3件)：

H01F 41/18 ,  G11B 5/127 F ,  G11B 5/31 C

Fターム (17件)：

5D033BA03 ,  5D033DA03 ,  5D093AA01 ,  5D093BB18 ,  5D093BC18 ,  5D093BD01 ,  5D093BD08 ,  5D093FA12 ,  5D093FA16 ,  5D093HA17 ,  5D093JA01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049GC02 ,  5E049GC04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 軟磁性薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269449   出願人：ティーディーケイ株式会社
• スパッタリング装置および強磁性積層膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-314698   出願人：松下電器産業株式会社
• 軟磁性膜の製造方法及びその軟磁性膜を用いた磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178210   出願人：日本ビクター株式会社
• 磁気記録媒体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-063191   出願人：日本電気株式会社