特許

J-GLOBAL ID：200903065615836257

窒化物半導体発光装置

発明者： 湯浅 貴之 ,  津田 有三 ,  小河 淳 ,  荒木 正浩 ,  上田 吉裕 ,  種谷 元隆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135892
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体厚膜基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光装置は、窒化物半導体厚膜基板102と、その基板上に積層された複数の窒化物半導体層103〜110を含む発光素子構造とを含み、窒化物半導体基板102は不純物濃度の高い第1層領域102aとその第1層領域より不純物濃度の低い第2層領域102bとの少なくとも2層領域を含み、発光素子構造103〜110は基板102の第1層領域102a上に設けられていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体厚膜基板と、前記基板上に積層された複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造とを含み、前記窒化物半導体基板は、高不純物濃度の第1の層領域とその第1層領域より低い不純物濃度の第2の層領域との少なくとも2層領域を含み、前記発光素子構造は、前記基板の前記第1層領域上に形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光装置。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 3族窒化物半導体基板及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150270   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335580   出願人：エルジー電子株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-144502   出願人：日亜化学工業株式会社