半導体レーザ装置の製造方法及び半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295846
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101126
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】所望の反射率を有する、高精度の反射率制御膜を備えた半導体レーザ装置を製造する方法を提供する。また、この方法により製造された、所望の反射率を有する、高精度の反射率制御膜を備えた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】異なる屈折率を有する少なくとも2層の絶縁膜を積層して構成した反射率制御膜を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体レーザ装置の発光波長をλ、反射率制御膜を構成する第1及び第2の絶縁膜の各屈折率ををn1、n2、前記第1及び第2の絶縁膜の各膜厚をd1、d2とするとき、前記反射率制御膜の反射率が所望の反射率となるように、ほぼn1d1+n2d2=pλ/4(pは整数)を満たす膜厚d1、d2の第1及び第2の絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

異なる屈折率を有する少なくとも2層の絶縁膜を積層して構成した反射率制御膜を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ装置の発光波長をλ、前記反射率制御膜を構成する第1及び第2の絶縁膜の各屈折率をn1、n2、前記第1及び第2の絶縁膜の各膜厚をd1、d2とするとき、前記反射率制御膜の反射率が所望の反射率となるように、ほぼn1d1+n2d2=pλ/4(pは整数)を満たす膜厚d1、d2の第1及び第2の絶縁膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

Fターム (4件)：

5F073AA83 , 5F073CB20 , 5F073DA33 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268719 出願人：松下電子工業株式会社
高出力半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-254616 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-009813 出願人：松下電器産業株式会社

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