特許
J-GLOBAL ID：200903065672243947
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-241515
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076116
出願日： 2007年09月18日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：
【課題】複数のメモリセルに対する書き込み回数の計算を高速に行うことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセルアレイ1は、1つのメモリセルに複数ビットを記憶する複数のメモリセルを有している。センスアンプユニット3aは、メモリセルアレイの選択されたメモリセルMCから読み出されたデータを検知する。データ制御ユニット3bは、書き込みデータを検証する書き込みベリファイ動作時、メモリセルの閾値電圧が予め設定したベリファイチェックポイントを越えた場合、メモリセルへの書き込みデータを残りの書き込み電圧印加回数を示す回数データに変換し、書き込み電圧印加動作毎に回数データを1ビットのみ反転して、回数データの定義を変換することにより減算動作を行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
1つのメモリセルに複数ビットを記憶する複数のメモリセルを有し、前記メモリセルが行方向及び列方向にマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルの書き込み電圧を含む制御電圧を発生する電圧発生回路と、
前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルから読み出されたデータを検知するセンスアンプと、
前記センスアンプへ供給するデータと、前記センスアンプにより読み出されたデータを制御するデータ制御回路とを具備し、
前記データ制御回路は、書き込みデータを検証する書き込みベリファイ動作時、前記メモリセルの閾値電圧が予め設定したベリファイチェックポイントを越えた場合、メモリセルへの書き込みデータを残りの書き込み電圧印加回数を示す回数データに変換し、書き込み電圧印加動作毎に前記回数データを1ビットのみ反転し、回数データの定義を変換することにより減算動作を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 601B
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 641
, G11C17/00 622E
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125DB08
, 5B125DB14
, 5B125DB17
, 5B125DB19
, 5B125DD05
, 5B125DD08
, 5B125EA05
, 5B125ED07
, 5B125EE04
, 5B125EF10
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA05
出願人引用 (1件)
-
半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-402161
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (3件)
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