特許
J-GLOBAL ID：200903065729032450

半導体装置およびその製造方法

発明者：
土津田 義久

土津田 義久 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (4件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所 ,  原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291863
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108328
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 貫通電極を有する半導体装置において、信頼性の高い貫通電極を、容易に低コストで形成する。【解決手段】 第1面に第1の絶縁膜2と電極パッド3とが形成された半導体基板1に対し、第2面に第2の絶縁膜5を形成して、該第2の絶縁膜5の電極パッド3の直下部分を開口する。第2の絶縁膜5をマスクとして、半導体基板1に貫通孔を形成するが、このとき、該貫通孔は、第1の絶縁膜2の開口縁よりも後退して形成される。第3の絶縁膜6は、上記貫通孔の内壁のみに形成され、このとき、第2の絶縁膜5の開口縁と第3の絶縁膜6の内周面とは、半導体基板1の第2面側から見て一致するように形成される。その後、第2の絶縁膜5をマスクとして第1の絶縁膜2をエッチングし、電極パッド3裏面を露出させ、上記貫通孔内に貫通電極となる導電部7を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1面に無機材料からなる第1の絶縁膜を介して形成された電極パッドを有し、上記電極パッドと上記半導体基板の第2面に存在する外部接続用端子とを接続する貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、 第1面に上記第1の絶縁膜と上記電極パッドとが形成された上記半導体基板に対し、その第2面に無機材料からなる第2の絶縁膜を形成し、上記電極パッドの直下にて上記第2の絶縁膜を開口する第1の工程と、 上記第2の絶縁膜をマスクとして、上記半導体基板に第1の絶縁膜に達する貫通孔を、第2の絶縁膜の開口縁よりも該貫通孔を後退させるように形成する第2の工程と、 上記貫通孔の内壁に有機材料からなる第3の絶縁膜を形成する第3の工程と、 上記第2の絶縁膜をマスクとして、上記第1の絶縁膜をエッチングし、上記電極パッド裏面を上記半導体基板の第2面側に露出させる第4の工程と、 上記貫通孔内で上記貫通電極となると共に、上記電極パッドと上記外部接続用端子とを接続する導電部を形成する第5の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/14 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (6件)：
H01L21/88 J ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/90 Q ,  H01L27/14 D ,  H01L25/08 Z ,  H01L23/12 L
Fターム (39件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CB02 ,  4M118EA01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F033GG01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3186941号公報(公開日平成8年8月20日)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-111571   出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (3件)

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