特許
J-GLOBAL ID：200903026810786501
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須藤 克彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111571
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309221
出願日： 2002年04月15日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 製造工程数を削減し、低コスト化を実現した半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンウエハ(Si基板1)上に絶縁膜3を介して金属パッド2を形成し、当該金属パッド2上に電極接続用の金属ポスト(Cu7)を形成する工程と、前記Si基板1と当該Si基板1を支持する支持板11とを絶縁フィルム10を介して貼り合わせる工程と、前記Si基板1の裏面を研磨する工程と、前記Si基板1の裏面から前記Cu7まで貫通する開口14aを形成する工程と、前記開口14aの側壁部に絶縁膜15を形成した後に、当該開口内に金属膜(TiN16,Cu17)を形成する工程と、前記TiN16,Cu17上に電極(半田ボール19)を形成する工程と、前記Si基板1の裏面から前記フィルム10までダイシングする工程と、前記Si基板1と前記支持板11とを分離する工程とを有することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
シリコンウエハ上に絶縁膜を介して金属パッドを形成し、当該金属パッド上に電極接続用の金属ポストを形成する工程と、前記ウエハと当該ウエハを支持する支持板とを絶縁フィルムを介して貼り合わせる工程と、前記ウエハの裏面を研磨する工程と、前記ウエハの裏面から前記金属パッドまで貫通する開口を形成する工程と、前記開口の側壁部に絶縁膜を形成した後に、当該開口内に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に電極を形成する工程と、前記ウエハの裏面から前記フィルムまでダイシングする工程と、前記ウエハと前記支持板とを分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 23/12 501
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 P
, H01L 25/08 B
