特許
J-GLOBAL ID：200903065786034981

半導体装置とその製造方法

発明者：
菊地 修一

菊地 修一 について

, 
西部 栄次

西部 栄次 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318806
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124671
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 動作時のドレイン耐圧を向上させる。【解決手段】 本発明の半導体装置は、P型の半導体基板1上にゲート酸化膜7A,8を介して形成されたゲート電極9と、当該ゲート電極9の一端に隣接するように形成された第1の低濃度(LN型)のドレイン領域5と、当該第1の低濃度のドレイン領域5内の極近傍に形成され、少なくとも当該第1の低濃度のドレイン領域5の不純物濃度よりも不純物濃度が高い第2の低濃度(SLN型)のドレイン領域6と、前記ゲート電極9の他端に隣接するように形成された高濃度(N+型)のソース領域10と、前記ゲート電極9の一端から所定間隔を存して前記第2の低濃度のドレイン領域6内に形成された高濃度(N+型)のドレイン領域11とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の一端に隣接するように形成された逆導電型の第1の低濃度ドレイン領域と、前記第1の低濃度ドレイン領域内の極近傍に形成され、少なくとも当該第1の低濃度ドレイン領域の不純物濃度よりも不純物濃度が高い逆導電型の第2の低濃度ドレイン領域と、前記ゲート電極の他端に隣接するように形成された逆導電型の高濃度ソース領域と前記ゲート電極の一端から所定間隔を有するように前記低濃度ドレイン領域内に形成された逆導電型の高濃度ドレイン領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/265
FI (5件)：
H01L 21/22 E ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (8件)：
5F040DA20 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED09 ,  5F040EF13 ,  5F040EF18 ,  5F040EK01 ,  5F040FC17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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