人工ピンを導入した酸化物超電導導体及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-135981
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283372
出願日： 2008年05月23日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：

【課題】磁場下における臨界電流特性の向上とともに、無磁場下における臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体とその簡便な製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る酸化物超電導導体1は、基体2と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層5とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜3と不純物を含む第二超電導膜4との積層体であって、前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜と不純物を含む第二超電導膜との積層体であって、前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする酸化物超電導導体。

IPC (5件)：

H01B 12/06 , H01B 13/00 , C01G 1/00 , C01G 3/00 , H01F 6/06

FI (5件)：

H01B12/06 , H01B13/00 565D , C01G1/00 S , C01G3/00 , H01F5/08 B

Fターム (17件)：

4G047JA04 , 4G047JC02 , 4G047JC03 , 4G047KE02 , 4G047KG04 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321CA05 , 5G321CA13 , 5G321CA18 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA41 , 5G321DB37

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-318014号公報
特開平4-154604号公報
酸化物超伝導薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-351165 出願人：独立行政法人科学技術振興機構, 財団法人電力中央研究所

全件表示

審査官引用 (4件)

酸化物超電導体厚膜積層体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143406 出願人：旭硝子株式会社
特開平2-260672
特開昭63-318014

全件表示

前のページに戻る