特許
J-GLOBAL ID:200903065077602305
酸化物超電導材料及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 亀松 宏
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-245480
公開番号(公開出願番号):特開2006-062896
出願日: 2004年08月25日
公開日(公表日): 2006年03月09日
要約:
【課題】 有効なピンニングセンターの導入により、臨界電流密度が高い酸化物バルク超電導体を提供する。【解決手段】 RE1+xBa2-xCu3Oy(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、ピンニングセンターとしてBaCeO3あるいはBa(Ce1-aMa)O3-b(0<a<0.5、0≦b≦0.5、MはZr、Hf、Sn等の金属元素)相の粒子が分散しており、且つ、Pt又はRhの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
RE1+xBa2-xCu3Oy(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、Ce及びBaを含む複合酸化物の粒子が分散しており、且つ、Pt又はRhの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。
IPC (6件):
C01G 3/00
, C01G 1/00
, C01G 19/00
, C01G 25/00
, H01B 12/00
, H01B 13/00
FI (6件):
C01G3/00
, C01G1/00 S
, C01G19/00 A
, C01G25/00
, H01B12/00
, H01B13/00 565D
Fターム (19件):
4G047JB06
, 4G047JC03
, 4G047KB04
, 4G047KB11
, 4G048AA03
, 4G048AA05
, 4G048AB01
, 4G048AC04
, 4G048AD03
, 4G048AE05
, 5G321AA02
, 5G321BA03
, 5G321BA04
, 5G321CA02
, 5G321CA04
, 5G321CA13
, 5G321DB29
, 5G321DB47
, 5G321DB48
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (9件)
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