半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：奥山尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-528379
公開番号（公開出願番号）：特表2001-506809
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 2001年05月22日
要約：

【要約】本発明は、半導体層を基板上に、気体を所定の解離温度にまで加熱し、このため、この気体が微片に解離し、これによってこれらの微片が次いでこの基板上に凝結して半導体層を形成することによって積層するステップを含む、半導体装置を提供するプロセスに関する。

請求項（抜粋）：

気体が解離して微片となるように前記気体を所定の解離温度にまで加熱することによって、容器内に配置された基板上に前記微片を順次に凝結させ、これにより前記基板上に半導体層を形成するステップを含むことを特徴とする半導体装置を製造するプロセス。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/511 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/511 , H01L 29/78 618 A , H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (5件)

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