特許
J-GLOBAL ID：200903065857966805

LEDアレイおよびその製造方法

発明者：
岸本 達也

岸本 達也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289920
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】半導体層にクラックが入らず、順メサの一部が垂直にならないようにして電極の断線を防ぎ、高品質かつ高信頼性のLEDアレイを提供する。【解決手段】高抵抗シリコン基板1上に一導電型半導体層2と逆導電型半導体層3と個別電極4とを形成し、一導電型半導体層2を引き延ばした延在部の上に共通電極5を接続し、その延在部の表面粗さをRa100Å以下にする。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、この一導電型半導体層を引き延ばした延在部を配し、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を、延在部上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配列して発光素子群と成したLEDアレイであって、前記延在部の表面粗さをRa100Å以下にしたことを特徴とするLEDアレイ。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/306 B
Fターム (22件)：
5F004AA16 ,  5F004DA06 ,  5F004DB20 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB05 ,  5F041CB11 ,  5F041CB22 ,  5F041CB25 ,  5F041DB07 ,  5F041FF13 ,  5F043AA03 ,  5F043BB07 ,  5F043GG04
引用特許：
審査官引用 (17件)
  • 半導体発光装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-047395   出願人：京セラ株式会社
  • 半導体発光装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-047396   出願人：京セラ株式会社
  • 特開昭50-027477
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