半導体発光装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047395
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252517
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】発光部のピッチが狭くなると、その発光部を形成するためのレジストパターンの寸法が、サイドエッチの存在により、発光部ピッチより大きくなり、事実上発光部が形成できなくなるという問題があった。【解決手段】基板上に一導電型を呈する半導体層と逆導電型を呈する半導体層を積層して設け、この半導体層を島状にエッチングした後、それぞれに電極を接続して形成する半導体発光装置の製造方法において、前記半導体層を島状にエッチングする際に、一回目のレジストパターンで前記半導体層の所定部分が凸状に残るように前記半導体層の深さ方向の途中までエッチングした後、二回目のレジストパターンで前記凸状部の周縁部まで被覆して前記半導体層が島状になるようにエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板上に一導電型を呈する半導体層と逆導電型を呈する半導体層を積層して設け、この半導体層を島状にエッチングした後、それぞれに電極を接続して形成する半導体発光装置の製造方法において、前記半導体層を島状にエッチングする際に、一回目のレジストパターンで前記半導体層の所定部分が凸状に残るように前記半導体層の深さ方向の途中までエッチングした後、二回目のレジストパターンで前記凸状部の周縁部まで被覆して前記半導体層が島状になるようにエッチングすることを特徴とする半導体発光装置の製造方法。

Fターム (12件)：

5F041AA31 , 5F041CA02 , 5F041CA12 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB11 , 5F041CB25 , 5F041FF13

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-279703 出願人：日本電信電話株式会社
発光ダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-228246 出願人：京セラ株式会社
半導体光集積素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290255 出願人：株式会社日立製作所

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