半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349301
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜111として有機材料を用い、且つ、金属膜112のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線114を形成する。

請求項（抜粋）：

導電性を有する材料層上に有機材料からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に第1の金属層と、前記第1の金属層上に第2の金属層とを有し、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールの底部で前記導電性を有する材料層と前記第2の金属層が接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 348 , H01L 21/768 , H01L 21/336

FI (9件)：

H01L 29/78 616 T , G02F 1/136 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 348 A , H01L 21/90 A , H01L 21/90 S , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体集積回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-249713 出願人：三洋電機株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235155 出願人：日本電気株式会社
特開昭61-214538

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