特許

J-GLOBAL ID：200903065937466129

透明導電膜の形成方法

発明者： 細野 秀雄 ,  川副 博司 ,  折田 政寛
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社 ,  東京工業大学長
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033396
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297138
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 高いキャリア密度と高い移動度を有する高電気伝導率の透明導電膜を、再現性良く容易に製造できる形成方法等を提供する。【解決手段】 微細パターン状に分布したドーパント濃度が高い領域1と、前記ドーパント濃度が高い領域1の周辺部のドーパント濃度が低い領域2からなる電子移動領域とを有する透明導電膜の形成方法であって、前記電子移動領域を、ドーパントを含有した透明導電膜(例えば、SnをドープしたIn2O3)にレーザー光を照射することにより形成する。

請求項（抜粋）：

微細パターン状に分布したドーパント濃度が高い領域と、前記ドーパント濃度が高い領域の周辺部のドーパント濃度が低い領域からなる電子移動領域とを有する透明導電膜の形成方法であって、前記電子移動領域を、ドーパントを含有した透明導電膜にレーザー光を照射することにより形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 503 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02

FI (3件)：

H01B 13/00 503 D ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-183813
  
• 金属分散ゲル膜およびその製造方法ならびにIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-187208   出願人：株式会社関西新技術研究所