特許
J-GLOBAL ID:200903065981276248

研磨砥粒、研磨剤及び研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-141064
公開番号(公開出願番号):特開平11-033896
出願日: 1998年05月22日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】【課題】 被研磨基板の表面を良好に研磨した後に、主に純水等を含む水性の洗浄液を用いた簡易な洗浄により、被研磨基板の表面に残存した研磨砥粒を十分に除去することを可能とする。【解決手段】 親水性表面を有し、その表面電位(ゼータ電位)の絶対値がpH7において50mV以下である研磨砥粒、好ましくは末端が親水性基、さらに好ましくは水酸基で終端されており、従って親水性の表面を有する金属酸化物の研磨砥粒を含む研磨剤を用いてシリコン半導体基板の表面を研磨し、その後、水性の洗浄液を用いて洗浄する。研磨砥粒の金属酸化物としては、酸化セリウム、酸化ジリコニウム、酸化マンガン等が好適である。
請求項(抜粋):
親水性表面を有し、その表面電位(ゼータ電位)の絶対値がpH7において50mV以下であることを特徴とする研磨砥粒。
IPC (3件):
B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 622
FI (3件):
B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 622 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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