不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊丹勝 , 田村和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-001537
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171477
出願日： 2007年01月09日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】メモリセル11は、一端に書き込み電圧を印加され絶縁膜破壊でデータを書き込む不可逆性記憶素子12と、一端が前記不可逆性記憶素子の他端に接続される書き込みゲートN型及び読み出しゲートN型トランジスタ13、14とを備える。各メモリセル11には、書き込みゲートN型及び読み出しゲートN型トランジスタ13、14のゲートに接続された書き込みワード線WLWp、読み出しワード線WLRpと、書き込みゲートN型及び読み出しゲートN型トランジスタ13、14の他端に接続された書き込みビット線BLWn、読み出しビット線BLRpとが接続する。書き込みワード線WLWp及び読み出しワード線WLRpは、選択的に駆動するローデコーダ2、読み出しビット線BLRpは、データ書き込み時、所定電圧に充電するライトディスターブ保護回路33を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一端に書き込み電圧を印加され絶縁膜破壊によりデータを書き込むようにされた不可逆性記憶素子と、一端が前記不可逆性記憶素子の他端側に接続される第1トランジスタと、一端が前記不可逆性記憶素子の他端側に接続される第2トランジスタとを備えたメモリセルを格子状に複数配置して構成されるメモリセルアレイと、データ書き込み時において前記メモリセルを行方向において選択するため前記第1トランジスタのゲートに接続された複数の書き込みワード線と、データ読み出し時において前記メモリセルを行方向において選択するため前記第2トランジスタのゲートに接続された複数の読み出しワード線と、前記メモリセルへのデータ書き込みを行うため前記第1トランジスタの他端に接続された書き込みビット線と、前記メモリセルからのデータ読み出しを行うため前記第2トランジスタの他端に接続された読み出しビット線と、アドレス信号に従い前記書き込みワード線及び前記読み出しワード線を選択的に駆動するローデコーダと、データ書き込み時において、前記読み出しビット線を所定電圧まで充電するライトディスターブ保護回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 17/18 , G11C 17/14 , H01L 27/10 , G11C 16/02

FI (6件)：

G11C17/00 306Z , G11C17/06 301 , H01L27/10 431 , H01L27/10 461 , H01L27/10 471 , G11C17/00 611F

Fターム (16件)：

5B125BA15 , 5B125CA19 , 5B125DA09 , 5B125DB12 , 5B125ED04 , 5B125EE03 , 5B125FA06 , 5F083CR14 , 5F083CR17 , 5F083GA15 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083ZA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

ワンタイムPROM
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-027965 出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (5件)

注出キャップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375777 出願人：河野樹脂工業株式会社
特開平3-290900
特開平4-192459

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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