特許
J-GLOBAL ID：200903066015830073
マイクロプラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-137956
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328138
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：
【要約】【課題】本発明の課題は、簡単な工程で各種基板材料の表面にグラファイトやグラッシーカーボン等のカーボン系物質に代表される無機系物質を減圧下乃至加圧下において基板を格別に過熱することなくマイクロメートル・オーダーの領域にマスク等を用いずに直接に堆積させることである。【解決手段】 本発明のマイクロプラズマCVD装置は、円筒状の絶縁材料性プラズマトーチ、プラズマガス供給系、プラズマ発生用高周波電源、マッチングボックス、プラズマ点灯用イグナイター、雰囲気ガス吹き付けノズル及び堆積基板の位置を制御する3軸マニピュレーターからなり、カーボンナノチューブ系の材料を基板上に堆積させるためには、アルゴン等の不活性ガスに代表されるプラズマガス中にメタン等の炭化水素ガスを混合しプラズマノズルに供給すればよく、この工程は、大気圧、減圧条件下乃至高圧条件下においても可能である。
請求項（抜粋）：
マイクロプラズマCVD装置であって、該装置は、反応容器内に、先端に基板が取り付けられた基板支持台、円筒状の絶縁材料性プラズマトーチ、プラズマガス供給系、該プラズマガスを励起する高周波コイル、該コイルに高周波電力を供給するプラズマ発生用高周波電源、該基板の位置を制御する制御装置から成ることを特徴とするマイクロプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
C23C 16/505
, H01L 21/205
, H05H 1/30
C23C 16/505
, H01L 21/205
, H05H 1/30
4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030BA27
, 4K030CA12
, 4K030CA17
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030FA14
, 4K030KA05
, 4K030KA17
, 4K030KA18
, 4K030KA46
, 5F045AA09
, 5F045AB07
, 5F045AC07
, 5F045AC16
, 5F045AE25
, 5F045DA51
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EH01
, 5F045EM10
