特許
J-GLOBAL ID：200903066034351100

半導体装置およびその製造方法

発明者：
川崎 久夫

川崎 久夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250928
公開番号（公開出願番号）：特開2008-072028
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いた半導体装置におけるソースインダクタンスの低減を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体からなる基板1と、基板1の表面上に形成され、基板1と異なる窒化物半導体からなる半導体層2と、基板1の裏面側から半導体層2に到達するバイアホール6と、バイアホール6内壁に形成されるグランド電極7と、半導体層2表面からグランド電極7に到達するコンタクト層8と、それぞれ半導体層2上に形成されるゲート電極3、ドレイン電極5、およびコンタクト層8を介してグランド電極7と接続されるソース電極4を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化合物半導体からなる基板と、 前記基板の表面上に形成され、前記基板と異なる窒化物半導体からなる半導体層と、 前記基板の裏面側から前記半導体層に到達するバイアホールと、 前記バイアホール内壁に形成されるグランド電極と、 前記半導体層表面から前記グランド電極に到達するコンタクト層と、 それぞれ前記半導体層上に形成されるゲート電極、ドレイン電極、および前記コンタクト層を介して前記グランド電極と接続されるソース電極を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (1件)：
H01L29/80 B
Fターム (8件)：
5F102FA00 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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