特許
J-GLOBAL ID：200903032037698053
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-340404
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109133
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 素子で発生する熱を効果的に放熱することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 SiC基板1と、SiC基板1中の孔1d内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体4とを有することを特徴とする半導体装置による。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
SiC基板と、
前記SiC基板中の孔内に形成され、炭素元素の線状構造体により構成される熱伝導体と
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/34
, H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
H01L23/34 A
, H01L29/80 H
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB18
, 5F036BD11
, 5F102FA00
, 5F102GB02
, 5F102GC02
, 5F102GD01
, 5F102GJ03
, 5F102GJ05
, 5F102GJ10
, 5F102GK01
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GQ01
, 5F102GR06
, 5F102HC00
, 5F102HC01
, 5F102HC02
, 5F102HC11
, 5F102HC15
, 5F102HC16
, 5F102HC19
, 5F102HC21
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (10件)
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