特許
J-GLOBAL ID：200903066065979051
電界放出素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-108722
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306300
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 長期間安定に電子を放出する電界放出素子を低コストで実現することを目的とする。【構成】 Si等微細加工が可能な材料に、エミッタ1の基本形状である凸形形状部の形成、パターニング等を行い、その少なくとも凸形状形部の先端をなす凸部1aに耐スパッタ性に優れた炭素を主成分とするDLC膜2を被着した。
請求項（抜粋）：
凸形形状に形成された電極の先端部に炭素を主成分とする薄膜を被着したエミッタを備えたことを特徴とする電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
