特許

J-GLOBAL ID：200903066111205198

光半導体装置

発明者： 末廣 一郎 ,  堀田 祐治 ,  貞瀬 直樹 ,  釜田 卓
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-406398
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167091
出願日： 2003年12月04日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：

【課題】光取り出し効率の高い光半導体装置を提供すること。【解決手段】光半導体素子1の表面に、第1樹脂と光散乱粒子を含有する第1樹脂層5を有し、第1樹脂より屈折率が小さい第2樹脂からなる第2樹脂層6で第1樹脂層が封止されてなる。又は、光半導体素子1の表面に、第1樹脂と光散乱粒子を含有する第1樹脂層5を有し、第1樹脂より屈折率が小さい樹脂からなる複数の樹脂層6,7で第1樹脂層が封止されてなり、かつ複数の樹脂層の樹脂の屈折率が最外の樹脂層に向かって、順次小さいことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光半導体素子の表面に、第1樹脂と光散乱粒子を含有する第1樹脂層を有し、該第1樹脂より屈折率が小さい第2樹脂からなる第2樹脂層で第1樹脂層が封止されてなることを特徴とする光半導体装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA19 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-221945   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210605   出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-004380
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-320539   出願人：松下電子工業株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-009619   出願人：松下電工株式会社
• 発光ダイオードランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-128790   出願人：豊田合成株式会社, 松下電器産業株式会社