特許
J-GLOBAL ID：200903066164941805

シリコン上に集積された強誘電体キャパシタのための障壁層

発明者：
ラメッシュ,ラマムーアシー

ラメッシュ,ラマムーアシー について


出願人/特許権者：
ベル コミュニケーションズ リサーチ,インコーポレイテッド

ベル コミュニケーションズ リサーチ,インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-504500
公開番号（公開出願番号）：特表平11-502376
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】立方ペロブスカイト金属酸化物導電性電極(50、56)によって挟まれたペロブスカイト強誘電体の強誘電体スタック(44)は、シリコン体、例えばシリコン・トランジスタ(34)までフィールド酸化物(40)を貫くポリシリコン・プラグ(40)の上に形成される。本発明よれば、酸化物障壁(46)は、下部金属酸化物電極とポリシリコンとの間に置かれる。酸化障壁は、白金マトリックス内に耐熱酸化物を形成する2つの白金層に挟まれた耐熱金属;白金電極の下の金属間障壁、例えばNiAlからなるもの;またはRuおよびSrRuO3の組み合わせまたは類似物質であってもよい。それによって、ポリシリコン・プラグは酸化から守られる。
請求項（抜粋）：
多層強誘電体セルであって、 a)シリコン面を提供する基板と、 b)酸素の移動を阻止するために前記基板の面上に形成された導電性障壁層と、 c)前記障壁層上に形成され、かつ導電性のケミカル・テンプレート層からなる下部層と、 d)前記ケミカル・テンプレート層上に形成され、かつ該層に対してテンプレートとなった強誘電体層と、 e)前記強誘電体層上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とする多層強誘電体セル。
IPC (7件)：
H01L 27/10 451 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 651
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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