特許

J-GLOBAL ID：200903066167048591

半導体ヘテロ構造

発明者： 西田 敏夫 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039819
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244069
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 素子抵抗を小さくする。【解決手段】 6H-SiCからなるn型の基板11上にAlGaNからなるn型半導体層12を形成し、n型半導体層12をAl組成が15%の組成一定領域12aとAl組成が15%から10%に一定割合で変化する組成変化領域12bとから構成し、n型半導体層12上にAlGaNからなる多重量子井戸発光層13を形成し、多重量子井戸発光層13上にAlGaNからなるp型半導体層14を形成し、p型半導体層14をAl組成が15%の組成一定領域14aとAl組成が10%から15%に一定割合で変化する組成変化領域14bとから構成し、p型半導体層14上にAlGaNからなるp型の遷移領域層15を形成し、遷移領域層15上にGaNからなるp型のコンタクト層16を形成し、コンタクト層16上にp電極を形成し、基板11の裏面にn電極を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体デバイスの半導体ヘテロ構造において、半導体層に形成された組成変化領域の厚さを5nm以上にしたことを特徴とする半導体ヘテロ構造。

IPC (2件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-021557   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-048854   出願人：ローム株式会社
• 特開平1-175285
  
• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-315203   出願人：富士通株式会社