特許
J-GLOBAL ID：200903093778818195
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048854
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247744
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 基板上に格子定数の異なる半導体層が順次積層される半導体発光素子において、結晶格子のズレを小さくし、電子の移動度を向上させて、発光効率の優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3とp形層5とが積層されることにより発光層を形成する半導体発光素子であって、前記積層される半導体層の下層と上層との境界部に、該下層の組成から順次上層の組成に変化する勾配層13、14、15aが設けられている。
請求項（抜粋）：
基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層とp形層とが積層されることにより発光層を形成する半導体発光素子であって、前記積層される半導体層の下層と上層との境界部に、該下層の組成から順次上層の組成に変化する勾配層が設けられてなる半導体発光素子。
引用特許：
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