特許
J-GLOBAL ID：200903066195686307

バイアホールを備えた高周波受動回路および高周波増幅器

発明者：
西嶋 将明

西嶋 将明 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 司朗 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246483
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064345
出願日： 2000年08月15日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 バイアホールを備えた高周波受動回路および高周波増幅器の小型化を実現する。【解決手段】入力整合回路部125の構成素子である入力整合用並列インダクタ114はスパイラルインダクタ、入力整合用並列キャパシタ115はMIMキャパシタを用い、GaAs基板124の主面から表面バイアホールを適用して形成される入力整合回路用バイアホール121内部に入力整合用並列キャパシタ115を形成している。ドレイン電圧給電回路107の構成素子であるチョークインダクタ119はスパイラルインダクタ、バイパスキャパシタ120はMIMキャパシタを、GaAs基板124の主面から表面バイアホールを適用して形成されるドレイン電圧給電回路用バイアホール123内部にバイパスキャパシタ120を形成している。引出し配線135によりドレイン電圧端子136がスパイラルインダクタとドレイン電圧給電回路用バイアホール123の間から引き出されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に形成されたスパイラルインダクタと、半導体基板の主面から半導体基板を貫通しているバイアホールとを備え、上記バイアホールは、上記スパイラルインダクタに隣接して配されるとともに、当該バイアホールの内部の接地金属層上に高誘電体層、配線金属層がその順に積層形成されて、接地金属層と配線金属層との間で容量素子を構成しており、上記スパイラルインダクタの一端がスパイラルインダクタの外部領域に引き出されて上記配線金属層と電気的に接続されていることを特徴とするバイアホールを備えた高周波受動回路。
IPC (3件)：
H03F 3/60 ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/193
FI (3件)：
H03F 3/60 ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/193
Fターム (36件)：
5J014CA42 ,  5J014CA53 ,  5J067AA01 ,  5J067CA92 ,  5J067FA16 ,  5J067HA02 ,  5J067HA09 ,  5J067HA10 ,  5J067HA24 ,  5J067HA25 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067KA00 ,  5J067KA12 ,  5J067KA29 ,  5J067KS11 ,  5J067MA04 ,  5J067QA04 ,  5J067QS04 ,  5J067SA13 ,  5J092AA01 ,  5J092CA92 ,  5J092FA16 ,  5J092HA02 ,  5J092HA09 ,  5J092HA10 ,  5J092HA24 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092KA00 ,  5J092KA12 ,  5J092KA29 ,  5J092MA04 ,  5J092QA04 ,  5J092SA13
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-341666   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平2-017668
  • 特開平2-017668
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM