一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 青山正和 , 江口昭彦 , 杉浦秀幸 , 村山靖彦 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-124300
公開番号（公開出願番号）：特開2004-322195
出願日： 2003年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板において、スライス加工による薄肉化が可能で、割れ難くすること。【解決手段】優先成長結晶方位が、結晶方位の<100>方向と<111>方向との2方向においてステレオ投影による該2方向に対する角度差が15°以内の範囲に、60%以上収まっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

優先成長結晶方位が、結晶方位の<100>方向と<111>方向との2方向においてステレオ投影による該2方向に対する角度差が15°以内の範囲に、60%以上収まっていることを特徴とする一方向凝固シリコンインゴット。

IPC (4件)：

B22D27/04 , B22D21/00 , B22D25/04 , H01L31/04

FI (4件)：

B22D27/04 C , B22D21/00 Z , B22D25/04 Z , H01L31/04 H

Fターム (5件)：

5F051AA03 , 5F051BA14 , 5F051CB30 , 5F051GA04 , 5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (6件)

成膜用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-119758 出願人：京セラ株式会社
太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-349980 出願人：川崎製鉄株式会社
特開昭63-166711

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