特許

J-GLOBAL ID：200903066220837870

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤井 岳志 ,  池田 良成
出願人/特許権者： 富士電機ホールディングス株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-091637
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278441
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】半導体チップの上面主電極面にストラップ状接続導体あるいはヒートスプレッダの金属部品を半田接合する場合に、半田の不要な広がりを防止して製品の品質,信頼性を向上し、併せて生産性よく製造できるように改良した半導体装置の組立構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ2の上面主電極3に放熱,配線用部材として厚肉な金属部品5を半田接合した半導体装置において、主電極の周囲を取り囲んで半導体チップの上面に主電極面よりも背高なダム形状の半田レジスト層8を形成した上で金属部品を半田接合するものとし、その製造方法としてウエハ内に多数個の半導体素子を作り込むウエハプロセスの工程で、フォトリソグラフィプロセスによりウエハ上の各半導体素子に対しその上面主電極の周囲を取り囲むダム形状の半田レジスト層を一括してパターン形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体チップの上面主電極に放熱,配線用部材として厚肉な金属部品を面合わせして半田接合した半導体装置において、 主電極の周囲を取り囲んでチップ上面に主電極面より背高なダム形状の半田レジスト層を形成した上で、主電極に金属部品を半田接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 23/48

FI (1件)：

H01L23/48 G

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-152979   出願人：富士電機株式会社
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-110313   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007202   出願人：日本電気株式会社