特許
J-GLOBAL ID:200903066282558340
磁電変換素子およびそれを用いた磁気センサ、磁電変換素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-133543
公開番号(公開出願番号):特開平11-330586
出願日: 1998年05月15日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】リードフレームの熱圧着時に加える熱により接着層が軟化することを防ぎ、磁気抵抗膜に損傷の生じない信頼性の高い磁電変換素子を提供する。【解決手段】絶縁基板11と、該絶縁基板11の一方主面に形成された接着層12と、該接着層12上に形成された磁気抵抗膜13と、該磁気抵抗膜13に形成された短絡電極14および電気信号取り出し用電極15と、前記絶縁基板11の他面に形成された端子電極17と、前記電気信号取り出し用電極15と前記端子電極17とを接続する接続電極18と、前記端子電極17に熱を加えることにより接続されるリードフレーム19とを含んでなる。
請求項(抜粋):
絶縁基板と、該絶縁基板の一方主面に形成された接着層と、該接着層上に形成された磁気抵抗膜と、該磁気抵抗膜に形成された短絡電極および電気信号取り出し用電極と、前記絶縁基板の他面に形成された端子電極と、前記電気信号取り出し用電極と前記端子電極とを接続する接続電極と、前記端子電極に熱を加えることにより接続される外部接続用手段とを含んでなることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (4件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, H01L 43/02
, H01L 43/12
FI (4件):
H01L 43/08 Z
, H01L 43/02 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
引用特許:
審査官引用 (5件)
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磁電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-256428
出願人:株式会社村田製作所
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磁電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-159526
出願人:株式会社村田製作所
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特開平1-293675
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半導体薄膜磁気抵抗素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-307181
出願人:松下電器産業株式会社
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磁気検出器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-221309
出願人:松下電器産業株式会社
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