特許
J-GLOBAL ID：200903075786775588

磁電変換素子

発明者：
西川 雅永

西川 雅永 について

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佐藤 友春

佐藤 友春 について

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池田 利昭

池田 利昭 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-256428
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102637
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 接続電極を半田付けしたときの接続強度が高い磁電変換素子を提供する。【解決手段】 本発明の磁電変換素子は、接続電極を磁気抵抗効果膜を形成する基板の裏面に、電極ペ-ストを用いて厚膜形成技術により形成した。このように形成した接続電極は、その厚さが厚いので回路基板に半田付け接続するときに、接続電極が半田により浸食されにくく、接続強度が向上する。
請求項（抜粋）：
主面、裏面および端面を有する基板と、主面の端部に端部電極が形成され、かつ中央部に断続的に複数個の短絡膜が形成され、裏面に保護膜が形成された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の主面を前記基板の主面に接着する樹脂層と、前記基板の端面に形成され、前記端部電極にそれぞれ接続する一対の端面電極と、前記基板の裏面に厚膜形成技術により形成され、前記端面電極にそれぞれ接続する一対の厚膜裏面電極とを、有してなることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/283 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
H01L 43/08 D ,  H01L 21/283 A ,  H01L 43/12
引用特許：
審査官引用 (4件)
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