特許
J-GLOBAL ID：200903066282965387
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-077830
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340596
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 基板に搭載された半導体チップと該基板の配線部とをワイヤボンディングしてなる半導体装置の製造方法において、ボンディング性を確保しつつ、半導体チップ搭載工程前に配線部表面のプラズマクリーニングを可能とする。【解決手段】 一面11上にタングステン配線が形成されたメタライズ基板10を用意し、Cuめっき20またはCu厚膜21を施す(工程S1〜S3)。工程S4にて、基板10の一面11に、プラズマ放電によって発生するイオン粒子を衝突させることにより配線部20、21の表面を清浄化し、この後、工程S5、S8にて、非酸化性雰囲気で基板10の一面11に半導体チップ50を搭載し、続いて、工程S6にて半導体チップ50と配線部20、21とをワイヤボンディングにより電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
一面(11)上に配線部(20、21)が形成された基板(10)を用意する工程(S1、S2、S3)と、前記基板の一面に、プラズマ放電によって発生するイオン粒子を衝突させることにより前記配線部の表面を清浄化する工程(S4)と、この工程の後、前記基板の一面に半導体チップ(50)を搭載する工程(S5、S8)と、搭載された半導体チップと前記配線部とをワイヤボンディングにより電気的に接続する工程(S6)と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (4件)：
5F044AA02
, 5F044CC01
, 5F044FF04
, 5F044FF05
