特許
J-GLOBAL ID：200903066298096583

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
伝宝 一樹

伝宝 一樹 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035824
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308079
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 複数枚の被処理基板を連続的に処理しても被処理基板間で品質のばらつきが小さく、しかも被処理基板の全体にわたって均一な処理をすることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 サセプタ30上のウエハW外周縁を包囲するように配設される補正リング31を、内側の第1の補正リング部材32と外側の第2補正リング部材とに同心円状に分割できる構造にする。第1の補正リング部材32の幅を処理ガス分の平均自由行程の1倍〜3倍程度の薄い構造とし、サセプタ30や第2の補正リング部材33との間での熱の移動が起きにくい構造にする。第2の補正リング部材の底部には熱伝導性のシリコンラバー層34を介してサセプタ30上面と密着させ、冷却し易い構造とする。
請求項（抜粋）：
略真空下で被処理基体に処理を施す処理チャンバと、前記被処理基体に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記被処理基体を載置するサセプタと、前記サセプタ上に載置された被処理基体の外周を包囲し、処理中第1の温度に維持される第1のリング部材と、前記第1のリング部材の外周を包囲し、処理中第2の温度に維持される第2のリング部材と、を具備するプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
C23C 16/44 B ,  H01L 21/302 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-356920
  • プラズマエッチング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-033645   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
  • 減圧処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-114261   出願人：東京エレクトロン株式会社
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