特許

J-GLOBAL ID：200903066308560780

ダイナミック型RAM

発明者： 鈴木 津幸 ,  宮武 伸一 ,  梶谷 一彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225668
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054726
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 高集積化と低消費電力化とを実現したダイナミック型RAMを提供する。【解決手段】 ダイナミック型メモリセル及びかかるダイナミック型メモリセルからビット線に読み出された上記記憶キャパシタの情報電荷に従った微小電圧を増幅するセンスアンプの増幅MOSFET、ビット線にプリチャージ電圧を与えるプリチャージMOSFET、ビット線を選択するカラムスイッチMOSFETとを含むメモリアレイを備え、上記メモリアレイのNチャンネル型MOSFETを深い深さのN型ウェル領域内に形成され、負の基板バックバイアス電圧が与えられたP型ウェル領域に形成され、上記メモリアレイのPチャンネル型MOSFETを、上記深い深さのN型ウェル領内に形成され、ワード線の選択レベルに対応した昇圧電圧が与えられたN型ウェル領域に形成する。

請求項（抜粋）：

ゲートがワード線に接続され、一方のソース,ドレインが上記ワード線と交差するビット線に接続され、他方のソース,ドレインが記憶キャパシタの蓄積ノードに接続されたアドレス選択MOSFETからなるダイナミック型メモリセルと、上記ビット線に読み出された上記記憶キャパシタの情報電荷に従った微小電圧を増幅するセンスアンプの増幅MOSFETと、上記ビット線にプリチャージ電圧を与えるプリチャージMOSFETと、上記ビット線を選択するカラムスイッチMOSFETとを含むメモリアレイを備えてなり、上記メモリアレイのNチャンネル型MOSFETは、深い深さのN型ウェル領域内に形成され、負の基板バックバイアス電圧が与えられたP型ウェル領域に形成され、上記メモリアレイのPチャンネル型MOSFETは、上記深い深さのN型ウェル領内に形成され、上記ワード線の選択レベルに対応した昇圧電圧が与えられたN型ウェル領域に形成されてなることを特徴とするダイナミック型RAM。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (7件)：

H01L 27/10 671 Z ,  G11C 11/34 354 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 M ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 A ,  H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-334950   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• ダイナミック型RAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-201674   出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-337898   出願人：日本電信電話株式会社