特許
J-GLOBAL ID：200903066309124606

半導体層の検査方法および装置

発明者：
竹内 日出雄

竹内 日出雄 について

, 
山本 佳嗣

山本 佳嗣 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218329
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035991
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の表面検査方法および装置を提供する。【解決手段】ステップa1において、試料の最上層に位置するアンドープAlGaN層4の表面に対してプローブ光を照射し、ステップa2において、光照射によってアンドープAlGaN層4で発生する励起子に特有な光学反射スペクトルを計測する。ステップa3において、検査試料の反射率スペクトルR(λ)のブロードニングファクターを解析し、ステップa4において、抽出したブロードニングファクターに基づいて、アンドープAlGaN層4の表面状態を評価する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、 光照射によって半導体層で発生する励起子に特有な光学スペクトルを計測するステップと、 該光学スペクトルのブロードニングファクターを解析するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 L
Fターム (6件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA21 ,  4M106CA46 ,  4M106DJ20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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