特許

J-GLOBAL ID：200903066342988845

深紫外線リソグラフィ用のフォトレジスト組成物

発明者： ダンメル・ラルフ・アール ,  サカムリ・レイ ,  フーリハン・フランシス・エム
出願人/特許権者： エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイション
代理人 (4件)： 江崎 光史 ,  三原 恒男 ,  奥村 義道 ,  鍛冶澤 實
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-501786
公開番号（公開出願番号）：特表2006-518476
出願日： 2004年02月10日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：

本発明は、光酸発生剤と、次の構造式1で表される少なくとも一種の単位を含む少なくとも一種のポリマーとを含む、フォトレジスト組成物に関する。【化1】更に本発明は、本発明のフォトレジスト組成物に像を形成する方法、並びに有機塩基の存在下に前記ポリマーを製造する方法にも関する。

請求項（抜粋）：

光酸発生剤と、以下の構造式1で表される少なくとも一種の単位を含む少なくとも一種の新規ポリマーとを含むフォトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 32/00 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  C08F32/00 ,  C08F8/00 ,  H01L21/30 502R

Fターム (30件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA17 ,  4J100AR11P ,  4J100BA02H ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA20H ,  4J100BA20P ,  4J100BB18P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA31 ,  4J100HA19 ,  4J100HC33 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-103576   出願人：信越化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-270685   出願人：ジェイエスアール株式会社
• シリコン含有2層レジストの剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215564   出願人：富士写真フイルム株式会社
• リソグラフィで作成されるフィーチャ寸法を後で縮小するデバイス製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149917   出願人：アギアシステムズガーディアンコーポレーション
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108824   出願人：ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション