特許
J-GLOBAL ID：200903066452672231

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
大谷 幸弘

大谷 幸弘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067344
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265951
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 帯電したフローティングゲートの中性化を簡便にする。【解決手段】 一導電型の半導体基板上のフローティングゲート4を被覆するように形成されたトンネル酸化膜を介して前記フローティングゲート4上に形成されるコントロールゲート6と、前記フローティングゲート4及び前記コントロールゲート6に隣接する前記半導体基板1の表面に形成される逆導電型のドレイン領域7及びソース領域8とを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記ドレイン領域7に接続され、前記フローティングゲート4上方を跨るように配置されるビット線となる金属配線20を前記フローティングゲート4の少なくとも一部または全部が露出するように配置したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成されるフローティングゲートと該フローティングゲートを被覆するように形成されたトンネル酸化膜を介して前記フローティングゲート上に形成されるコントロールゲートと前記フローティングゲート及び前記コントロールゲートに隣接する前記半導体基板の表面に形成される一対の逆導電型拡散領域と該逆導電型拡散領域の一方に接続され前記フローティングゲート上方を跨るように配置される配線とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記配線は前記フローティングゲートの少なくとも一部または全部が露出するように配置されたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (4件)
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