特許
J-GLOBAL ID：200903066460439562
エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168690
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007393
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 光抽出率を改善するために厚いエピタキシャル層を有するAlGaInNベースLEDを提供する。【解決手段】 基板と基板に結合した活性領域を有する多層エピタキシャル構造とを含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、多層エピタキシャル構造が、活性領域の上に位置するエピタキシャル層から成る第1の領域と、活性領域の下に位置するエピタキシャル層から成る第二の領域と、を含み、第1及び第2の領域のエピタキシャル層が、アルミニウムなどからなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、多層エピタキシャル構造の厚みによって、活性領域から放出された光のうち、多層エピタキシャル構造の側面を通じて抽出される光の量が増大することを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板に結合した活性領域を有する多層エピタキシャル構造と、を含むAlGaInN発光ダイオード素子であって、前記多層エピタキシャル構造が、前記活性領域の上に位置するエピタキシャル層から成る第1の領域と、前記活性領域の下に位置するエピタキシャル層から成る第2の領域と、を含み、前記第1及び第2の領域のエピタキシャル層が、アルミニウム、ガリウム、インジウム及び窒素からなる群より選択した少なくとも1元素で作られた複数のエピタキシャル層を含み、前記多層エピタキシャル構造が少なくとも4μmの厚みを持ち、前記多層エピタキシャル構造の前記厚みによって、前記活性領域から放出された光のうち、前記多層エピタキシャル構造の側面を通じて抽出される光の量が増大することを特徴とするAlGaInN発光ダイオード素子。
引用特許：
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