特許
J-GLOBAL ID：200903066502042447
薄膜形成用高純度Ir材料およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302837
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【目的】 スパッタリングターゲットなどの高純度Ir薄膜形成材料の用途に適し、かつスパッタリングの際のパーティクル発生を低減した高純度Ir材料を提供すること。【構成】 アルカリ金属元素含有率1ppm以下、放射性元素含有率各10ppb以下でありさらに炭素及びガス成分元素含有率が100ppm以下であることを特徴とする薄膜形成用高純度Ir材料。Ir原料に、Irと合金をつくり酸に溶解する金属を添加しIr合金を製造した後、該Ir合金を酸もしくは酸とアルカリで浸出することによりIr以外の成分を溶解除去し、得られたIr残渣を脱ガス処理した後、電子ビーム溶解することによって製造することができる。
請求項（抜粋）：
アルカリ金属元素含有率1ppm以下、放射性元素含有率各10ppb以下でありさらに炭素及びガス成分元素含有率が100ppm以下であることを特徴とする薄膜形成用高純度Ir材料。
IPC (6件)：
C23C 14/34
, C22B 11/00
, H01L 21/285 301
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
C23C 14/34 A
, C22B 11/00
, H01L 21/285 301 Z
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (12件)
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