特許
J-GLOBAL ID：200903066550215108
バイオセンサ
発明者：
前田 浩
前田 浩 について
名寄せID(JGPN) 200901100365468918 ですべてを検索
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出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社
セイコーエプソン株式会社 について
名寄せID(JGON) 201551000097527721 ですべてを検索
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代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：
公開公報
出願番号（国際出願番号）：
特願2001-101310
公開番号（公開出願番号）：
特開2002-296228
出願日：
2001年03月30日
公開日（公表日）：
2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】製造コストが低く、且つ、使い捨てに適したバイオセンサを提供する。【解決手段】有機高分子材料からなる基板11上に形成されたポリシリコンTFT14を用いた電界効果型のバイオセンサ。
請求項（抜粋）：
有機高分子材料からなる基板上に形成されたTFTを用いた電界効果型のバイオセンサ。
引用特許：
出願人引用 (3件)
イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平7-172839
出願人：
株式会社堀場製作所
半導体イオンセンサ及びその使用方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平6-227701
出願人：
富士通株式会社
薄膜素子の転写方法,薄膜素子,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平8-315590
出願人：
セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (2件)
イオン応答センサとその製造方法およびMOSFETの製造方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平7-172839
出願人：
株式会社堀場製作所
半導体イオンセンサ及びその使用方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平6-227701
出願人：
富士通株式会社
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