マイクロ波供給器及びプラズマ処理装置並びに処理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西山恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-073150
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。【解決手段】マイクロ波を放射する為の複数のスロット33が設けられた面23を有する環状導波路13を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路13の中心C1に対してスロット3の中心C2、C5が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マイクロ波を放射する為の複数のスロットが設けられた面を有する環状導波路を備えたマイクロ波供給器において、前記複数のスロットの中心が前記面に沿った方向に前記環状導波路の中心に対して偏って配置されていることを特徴とするマイクロ波供給器。

IPC (5件)：

C23C 16/511 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 16/511 , C23F 4/00 D , H01L 21/205 , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Fターム (69件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030KA28 , 4K030KA30 , 4K030KA45 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4K030LA24 , 4K057DA16 , 4K057DB02 , 4K057DB03 , 4K057DB04 , 4K057DB05 , 4K057DB06 , 4K057DB07 , 4K057DD01 , 4K057DE20 , 4K057DG07 , 4K057DG08 , 4K057DG13 , 4K057DG15 , 4K057DG20 , 4K057DM18 , 4K057DM21 , 4K057DM29 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA13 , 5F004BA14 , 5F004BA16 , 5F004BB13 , 5F004BB17 , 5F004BB25 , 5F004BD01 , 5F004BD02 , 5F004BD04 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA04 , 5F004DA05 , 5F004DA15 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB08 , 5F004EB03 , 5F045AA10 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AE15 , 5F045BB01 , 5F045DP03 , 5F045EH03 , 5F045EH11 , 5F045EH17 , 5F045EJ03 , 5F045EK01

引用特許：

出願人引用 (6件)

マイクロ波プラズマCVD装置及び堆積膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227305 出願人：キヤノン株式会社
プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036521 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置およびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-078934 出願人：株式会社日立製作所

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