特許
J-GLOBAL ID:200903066564085525

半導体ウェーハの研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-075138
公開番号(公開出願番号):特開2005-268330
出願日: 2004年03月16日
公開日(公表日): 2005年09月29日
要約:
【課題】この発明は、研磨布に目詰まりが生じていない新しい研磨布でも、或いはこの研磨布を何回か使用してある程度の目詰まりが生じている研磨布でも、それらに影響されることなく、研磨量の誤差やばらつきを低減することができる半導体ウェーハの研磨方法を得ようとしたものである。【解決手段】研磨布を上面に貼設した回転可能な定盤と、前記定盤に対向して配置されかつ下面に半導体ウェーハが保持された回転可能な研磨ヘッドからなる研磨装置を用いて、ベアウェーハの表面を研磨するに当たり、前記研磨布上の研磨中の温度変化を検出し、前記温度変化の積分値により研磨時間を制御することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
研磨布を上面に貼設した回転可能な定盤と、前記定盤に対向して配置されかつ下面に半導体ウェーハが保持された回転可能な研磨ヘッドからなる研磨装置を用いて、ベアウェーハの表面を研磨するに当たり、前記研磨布上の研磨中の温度変化を検出し、前記温度変化の積分値により研磨時間を制御することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (4件):
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B49/14
FI (5件):
H01L21/304 622R ,  H01L21/304 622G ,  B24B37/00 J ,  B24B37/04 K ,  B24B49/14
Fターム (16件):
3C034AA13 ,  3C034CA19 ,  3C034CB07 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA08 ,  3C058BA13 ,  3C058BB02 ,  3C058BC01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (3件)

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