特許
J-GLOBAL ID：200903066625157885
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263906
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186104
出願日： 1996年10月04日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 高融点金属膜とシリコンとを反応させてシリサイド層を形成する方法では、窒素雰囲気で反応を行うと、高融点金属膜を薄くしたときに好適な厚さのシリサイド層の形成が困難になる。【解決手段】 シリコン101,104上に被着した高融点金属膜107は、その上に窒素を含む第2の高融点金属膜108が形成され、しかる上で窒素を含まない雰囲気において熱処理してシリサイド層109を形成する。第2の高融点金属膜からの窒素が第1の高融点金属膜107に拡散されてチタンの窒化反応が進められ、拡散されてきたシリコンとチタンとが反応することによるオーバーグロースが抑制され、また高融点金属膜の膜厚を低減させた場合でも、シリコンと接触されている領域における高融点金属の窒化反応が抑制され、好適な薄さのシリサイド層が均一な層抵抗で形成される。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に高融点金属膜を被着し、熱処理してシリコンと高融点金属膜との界面に高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造方法において、前記高融点金属膜上にこれと同一の高融点金属でかつ窒素を含む高融点金属膜を形成する工程を含み、前記熱処理を窒素原子を含まない雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/28 301 D
, H01L 29/78 301 P
