特許
J-GLOBAL ID：200903066627477011
光電気セルおよび金属酸化物半導体膜形成用塗布液、光電気セル用金属酸化物半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153110
公開番号（公開出願番号）：特開2001-043907
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】光増感材吸着量が高く、光増感材の反応活性が高く、半導体内の電子移動がスムーズであり、かつ光電変換効率の向上した光電気セルを提供する。【解決手段】表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、少なくとも一方の基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がブルッカイト型結晶を含有する酸化チタン微粒子を含む光電気セル。
請求項（抜粋）：
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、少なくとも一方の基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がブルッカイト型結晶を含有する酸化チタン微粒子を含むことを特徴とする光電気セル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
