特許
J-GLOBAL ID：200903066720614533
電解銅箔およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-237405
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053993
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：
【要約】【課題】 抗張力および伸び率に優れた電解銅箔およびその製造方法を提供する。【解決手段】 銅箔中に双晶組織が存在し、該双晶組織に塩素が取り込まれ、かつ銅箔中に含まれる塩素濃度が50〜180ppmである電解銅箔。銅濃度が60〜85g/Lの範囲にあり、硫酸濃度が100〜250g/Lの範囲にあり、塩素イオンを1〜3ppmの量で含み、かつゼラチン系添加剤が0.3〜5ppmの量で添加されてなる電解液を用いて、40〜60°Cの液温で、かつ30〜75A/dm2の電解電流密度で、電解銅箔を製造する上記電解銅箔の製造方法。
請求項（抜粋）：
銅箔中に双晶組織が存在し、かつ該双晶組織に塩素が取り込まれ、銅箔中に含まれる塩素濃度が50〜180ppmであることを特徴とする電解銅箔。
IPC (2件)：
C25D 1/04 311
, C25D 1/00 311
C25D 1/04 311
, C25D 1/00 311
